650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (RDS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

Sonuçlar: 10
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Vasıf


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Veri Sayfası
448Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole HiP-247-4 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Veri Sayfası
581Stokta Var
1.000Beklenen 18.06.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Veri Sayfası
467Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole HiP247-4 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Veri Sayfası
481Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole HiP247-4 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Veri Sayfası
1.404Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Veri Sayfası
23Stokta Var
1.000Beklenen 29.01.2027
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Veri Sayfası
662Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Veri Sayfası
14Stokta Var
1.800Beklenen 29.01.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.800

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Veri Sayfası
5Stokta Var
600Beklenen 16.04.2027
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole HiP-247-4 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 25 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement