Renesas Electronics GaN FETs

Sonuçlar: 32
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 351Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 798Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 116Stokta Var
1.300Beklenen 17.02.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 850Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 611Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.674Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.518Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 1.226Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1.696Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3.773Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 4.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 409Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 276 W Enhancement
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L 768Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 856Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1.685Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 4.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1.200
Çoklu.: 1.200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

700 V SuperGaN