Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Sonuçlar: 30
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 351Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1.428Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 798Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 850Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 611Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.674Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.518Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 1.226Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1.696Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3.773Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 4.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 856Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1.685Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 4.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1.200
Çoklu.: 1.200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
Makara: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1
Makara: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
Makara: 5.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
Makara: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN