Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Sonuçlar: 48
Seçin Resim Parça Numarası
 Ürt.
Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin.
Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili
Paket / Kasa
Transistör Polaritesi
Kanal Sayısı
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı
Id - Sürekli Tahliye Akımı
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı
Qg - Kapı Şarjı
Minimum Çalışma Sıcaklığı
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
Pd - Güç Dağılımı
Kanal Modu
Ticari Unvan
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Veri Sayfası
345Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Veri Sayfası
1.024Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Veri Sayfası
1.293Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Veri Sayfası
720Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Veri Sayfası
560Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
2.662Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
2.446Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Veri Sayfası
958Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Veri Sayfası
1.669Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Veri Sayfası
3.769Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 4.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Veri Sayfası
1.475Stokta Var
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 4.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
Veri Sayfası
1.254Beklenen 18.09.2026
MouseReel Mevcut
Min.: 1
Çoklu.: 1
: 1.500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Veri Sayfası
1.828Beklenen 7.07.2026
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 5.000
Çoklu.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 26 Hafta
Min.: 1.200
Çoklu.: 1.200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 16 Hafta
Min.: 2.000
Çoklu.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 1
Çoklu.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Veri Sayfası
Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 14 Hafta
Min.: 3.000
Çoklu.: 3.000
: 3.000

700 V SuperGaN